当铝阳极氧化的铝进行电解着色时，起初氢离子在铝阳极氧化膜微孔的阻挡层上阴极放电。如上所述，只要发生了金属沉积析出，以后氢离子的放电就在析出金属上进行了。研究表明，铝阳极氧化膜阻挡层是组成的半导体化合物。氢离子通过半导体氧化物，扩散到氧化膜下面的基体金属铝而放电。

　　随着氢离子的放电，原子复合形成分子态的氢气，这时体积相应增大10倍以上。由于氢气没有逸出的途径，气压必然逐渐增加直到阻挡层破裂，气体才得以逸出。铝阳极氧化膜一般以大致圆形的外观剥落，基体金属铝也有圆锥形的损伤。

　　铝阳极氧化膜的剥离实际并非铝铝阳极氧化的缺陷，只是在电解着色时才发生。

　　金属离子和氢离子的迁移速度，氢离子的迁移速度大约是一般金属离子迁移速度的10倍，这意味着氢离子到达微孔底部的速度比金属离子快得多，显然会发生所谓氧化膜的剥离。但是在电解着色中如果使用交流电压，则可以大大降低氧化膜剥离的发生。此时，由于一定频率外加交流电压的作用，位于铝阳极氧化膜微孔中的离子在微孔底部与外电极之间来回振动，因此降低了氢离子较高的离子迁移率，氢离子优先放电的机会减少了，到达微孔底部的氢离子数目与金属离子比较也大为减少。此外还应该注意到，一旦微孔底部存在足够的金属沉积物，它本身就作为氢离子通过铝阳极氧化膜阻挡层的屏障，起到了防止铝阳极氧化膜剥离的作用。

　　因此在电解着色的起始阶段，电流密度需要缓慢上升，以便有利于优先析出金属。在电解着色过程中，微孔底部发生氧化膜剥离的示意图。上面的微孔中，表示氢离子通过阻挡层放电，创造了容易发生铝阳极氧化膜剥离作用的条件。在中间的微孔中，表示只有金属离子的放电，阻挡层的损伤极小。在下面的微孔中，表示金属已经沉积在微孔底部，从而阻挡氢离子通过阻挡层，铝阳极氧化膜剥离的条件不再存在。实际上，交流电压的采用，加上电压缓慢上升(即 “软启动”)，可以有效防止铝阳极氧化膜剥离的危险。

　　在通常的直流电解着色中，电流密度超过某一个数值后，金属离子在阴极表面析出的速度比该离子从溶液扩散进人微孔要快。其结果造成阴极附近电解液的浓度降低，形成一定的浓度梯度，妨碍了金属析出的均匀性。